[发明专利]制备可畸变的光学元件阵列的方法

摘要

一种制备可畸变的光学元件(20)阵列(18)的方法。该方法包括的步骤是提供具有第一表面的基片，控制加工基片第一表面上的局部区域；其中第一表面上带有形成元件。控制加工的程度足以使围绕局部区域的受影响位置上的一个或多于一个形成元件发生畸变。

主权项

一种制备工具(410)的方法，所述工具(410)用以生产可畸变光学元件(20)的阵列(18)，所述方法的步骤包括：提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上带有形成元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220)的几何形状相当于模拟阵列(18＇)中无畸变光学元件(20＇)的几何形状；及控制加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部区域(130/230)，所述加工的程度足以使包括和围绕所述局部区域(130/230)的受影响位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)发生畸变，所述加工步骤使一个或多于一个所述形成元件(120/220)的二面角不等于90°；其中执行所述控制加工步骤以便所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的90％，优选地所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的94％，更优选地所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的98％；其中所述控制加工是以控制模式来进行增加、移除、修改、扭曲、变形、或干扰；其中所述局部区域是所述阵列(18)中非常小的区域，在其上执行所述控制加工；其中所述受影响位置是包括和围绕所述局部区域的区域，其中在所述局部区域中应用控制加工使所述形成元件发生畸变；其中所述受影响位置(140/240)上的所述形成元件120/220的变化是不一致的，并且其变化取决于与所述局部区域(130/230)之间的距离；及将如此加工的基片(116/216)或其一个或多个复制品组装到生产工具(M10)上。