[发明专利]RRAM器件和方法有效
| 申请号： | 201510800379.9 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106252505B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 宋福庭;周仲彦;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底电极侧壁和顶电极侧壁向回凹进。本发明的实施例还涉及RRAM器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | rram 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：底电极，由下介电层围绕并且具有底电极侧壁；RRAM电介质，具有可变电阻并且设置在所述底电极上方，所述RRAM电介质具有RRAM介电侧壁；顶电极，设置在所述RRAM电介质上方并且具有顶电极侧壁；以及上介电层，设置在所述下介电层上方并且沿着所述底电极和所述顶电极延伸；其中，所述底电极侧壁和所述顶电极侧壁彼此垂直对准，并且所述RRAM介电侧壁从所述底电极侧壁和所述顶电极侧壁向回横向凹进。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510800379.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
