[发明专利]一种基于超声驻波场制备硅微纳结构阵列的方法在审
| 申请号： | 201510788271.2 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105439083A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 巢炎;姚安琦;焦晓东;吴立群;刘先欢;王盛 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 杭州金道专利代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超声驻波场制备硅微纳结构阵列的方法，按如下步骤：(1)、配比腐蚀液：腐蚀液由HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液均匀混配而成；(2)、将步骤(1)的腐蚀液放入反应釜中，反应釜置于超声发生器形成的超声驻波场中，开启超声波电源，形成超声驻波场；(3)、将清洗后的单晶硅硅片放入反应釜中，腐蚀时间30-60min后，得到单晶硅微纳结构阵列。本发明将超声驻波场与传统的金属辅助化学腐蚀法结合，使反应过程中的金属催化剂颗粒在超声驻波场声辐射力的作用下积聚在超声驻波点，使金属催化剂颗粒呈线性阵列分布在单晶硅表面，随着腐蚀反应的进行，单晶硅表面会形成规则的微纳结构阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超声 驻波 制备 硅微纳 结构 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种基于超声驻波场制备硅微纳结构阵列的方法，其特征是按如下步骤：(1)、配比腐蚀液：腐蚀液由HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液均匀混配而成；(2)、将步骤(1)的腐蚀液放入反应釜中，反应釜置于超声发生器形成的超声驻波场中，开启超声波电源，形成超声驻波场；(3)、将清洗后的单晶硅硅片放入反应釜中，腐蚀时间30‑60min后，得到单晶硅微纳结构阵列。
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