[发明专利]一种基于阻变存储单元RRAM的存储单元及存储方法有效
| 申请号： | 201510786327.0 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105261392A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 王小光;韩小炜 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于阻变存储单元RRAM的存储单元及存储方法，包括敏感放大器、参考电阻电路以及数据通路；敏感放大器的一端连接RRAM，另一端连接参考电阻电路，敏感放大器根据两端电阻阻值感应出q端信号和qb端信号，使敏感放大器最终在高电压态或低电压态，实现对数据的锁存；参考电阻电路用于向敏感放大器提供一个参考电阻；数据通路用于通过输出端口fuseq实现输出数据的0、1输出。本发明解决了现有的eFUSE技术工艺支持性有限、只能进行一次修复的局限性的技术问题，本发明可替代eFUSE技术，能够实现多次编程操作的存储技术。本发明通过对RRAM单元进行编程操作即可实现配置数据的存储，完成芯片的修复或调节工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 存储 单元 rram 方法 | ||
【主权项】：
一种基于阻变存储单元RRAM的存储单元，其特征在于：包括敏感放大器、参考电阻电路以及数据通路；所述敏感放大器的一端连接RRAM，另一端连接参考电阻电路，敏感放大器根据两端电阻阻值感应出q端信号和qb端信号，使敏感放大器最终在高电压态或低电压态，实现对数据的锁存；所述参考电阻电路用于向敏感放大器提供一个参考电阻；所述数据通路用于通过输出端口fuseq实现输出数据的0、1输出。
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