[发明专利]声波元件改良结构、整合结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种声波元件改良结构、整合结构以及制造方法。本发明的整合结构，包括：化合物半导体磊晶基板、形成于该化合物半导体磊晶基板的第一侧之上的功率放大器上层结构以及形成于该化合物半导体磊晶基板之第二侧之上的薄膜体声波共振器，其中化合物半导体基板及形成于该化合物半导体基板之上的磊晶结构构成该化合物半导体磊晶基板；其中该化合物半导体磊晶基板的第一侧以及该功率放大器上层结构构成功率放大器；该化合物半导体磊晶基板的第二侧以及该薄膜体声波共振器构成声波元件。本发明可缩小元件体积、最佳化该功率放大器及该声波元件的阻抗匹配以及减少信号的损耗。

主权项

1.一种整合结构，其特征在于，包括：一化合物半导体磊晶基板，包括一化合物半导体基板以及形成于所述化合物半导体基板之上的一磊晶结构；一功率放大器上层结构，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第一侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧以及所述功率放大器上层结构构成一功率放大器；以及一薄膜体声波共振器，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第二侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第二侧以及所述薄膜体声波共振器构成一声波元件；所述功率放大器及声波元件的整合结构整合于同一所述化合物半导体磊晶基板之上；所述薄膜体声波共振器包括：一支撑层，形成于所述化合物半导体磊晶基板之上，其中所述支撑层的底部具有一支撑层凹槽，所述支撑层凹槽的正上方具有向上凸出的一支撑层台面，且其中所述化合物半导体磊晶基板的顶部具有一基板凹槽，所述基板凹槽位于所述支撑层凹槽的正下方，所述支撑层凹槽与所述基板凹槽相连通，且所述支撑层凹槽与所述基板凹槽以所述化合物半导体磊晶基板的上表面的延伸平面为界；以及一体声波共振器结构，形成于所述支撑层之上，所述体声波共振器结构包括：一底电极，形成于所述支撑层的一端之上，且所述底电极至少延伸形成在所述支撑层台面之上；一压电层，至少形成在所述支撑层台面上的所述底电极之上；以及一顶电极，形成于相对于所述底电极的另一端，且形成于所述压电层之上或同时形成于所述压电层之上及所述支撑层之上，且所述顶电极至少延伸形成在所述支撑层台面上的所述压电层之上。