[发明专利]声波元件改良结构、整合结构及其制造方法

权利要求书

1.一种整合结构，其特征在于，包括：

一化合物半导体磊晶基板，包括一化合物半导体基板以及形成于所述化合物半导体基板之上的一磊晶结构；

一功率放大器上层结构，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第一侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧以及所述功率放大器上层结构构成一功率放大器；以及

一薄膜体声波共振器，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第二侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第二侧以及所述薄膜体声波共振器构成一声波元件；

所述功率放大器及声波元件的整合结构整合于同一所述化合物半导体磊晶基板之上；

所述薄膜体声波共振器包括：

一支撑层，形成于所述化合物半导体磊晶基板之上，其中所述支撑层的底部具有一支撑层凹槽，所述支撑层凹槽的正上方具有向上凸出的一支撑层台面，且其中所述化合物半导体磊晶基板的顶部具有一基板凹槽，所述基板凹槽位于所述支撑层凹槽的正下方，所述支撑层凹槽与所述基板凹槽相连通，且所述支撑层凹槽与所述基板凹槽以所述化合物半导体磊晶基板的上表面的延伸平面为界；以及

一体声波共振器结构，形成于所述支撑层之上，所述体声波共振器结构包括：

一底电极，形成于所述支撑层的一端之上，且所述底电极至少延伸形成在所述支撑层台面之上；

一压电层，至少形成在所述支撑层台面上的所述底电极之上；以及

一顶电极，形成于相对于所述底电极的另一端，且形成于所述压电层之上或同时形成于所述压电层之上及所述支撑层之上，且所述顶电极至少延伸形成在所述支撑层台面上的所述压电层之上。

2.根据权利要求1所述的整合结构，其特征在于，所述支撑层凹槽的深度介于10nm至3500nm之间。

3.根据权利要求2所述的整合结构，其特征在于，所述支撑层凹槽的深度介于10nm至1500nm之间。

4.根据权利要求1所述的整合结构，其特征在于，所述支撑层凹槽的开口的大小，小于或等于，所述基板凹槽的开口的大小。

5.根据权利要求1所述的整合结构，其特征在于，所述薄膜体声波共振器还包括至少一蚀刻凹槽，所述至少一蚀刻凹槽的一端与所述支撑层凹槽相连通，所述至少一蚀刻凹槽的另一端穿透所述支撑层或同时穿透所述支撑层及所述体声波共振器结构从而使得所述至少一蚀刻凹槽与外部相连通，并使得所述支撑层凹槽与外部相连通。

6.一种整合结构，其特征在于，包括:

一化合物半导体磊晶基板，包括一化合物半导体基板以及形成于所述化合物半导体基板之上的一磊晶结构；

所述磊晶结构包括：

一次集极层，形成于所述化合物半导体基板之上；以及

一集极层，形成于所述次集极层之上；

一功率放大器上层结构，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第一侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧以及所述功率放大器上层结构构成一功率放大器，所述功率放大器为一异质接面双极晶体管；

所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧还包括一集极凹槽，所述集极凹槽的底部为所述次集极层，且其中所述功率放大器上层结构包括：

一基极层，形成于所述集极层之上；

一射极突出平台层，形成于所述基极层之上；

一射极层，形成于所述射极突出平台层之上；

一基极电极，形成于所述基极层和/或所述射极突出平台层之上；

一射极电极，形成于所述射极层之上；以及

一集极电极，形成于所述集极凹槽内的所述次集极层之上；

其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧包括以下结构：所述化合物半导体基板、所述次集极层、所述集极层以及所述集极凹槽；其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第一侧以及所述功率放大器上层结构构成所述异质接面双极晶体管；以及

一薄膜体声波共振器，形成于所述化合物半导体磊晶基板的一第二侧之上，其中所述化合物半导体磊晶基板的所述第二侧以及所述薄膜体声波共振器构成一声波元件；

所述功率放大器及声波元件的整合结构整合于同一所述化合物半导体磊晶基板之上。