[发明专利]一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种印刷AM‑QDLED器件及其制备方法，本发明通过在Bank顶层增加其粗糙度形成一粗糙层，在不增加外材料和工艺难度的前提下，放大墨水初期对基板的浸润疏液性；且通过改变墨水组成结构，在挥发过程前期使墨水对基板相对疏水，并通过基板粗糙度的放大效果将墨水局限在Bank结构内；其后随着高表面张力且低沸点的溶液挥发，在Bank内溶液表面张力逐渐变小，最终与Bank形成浸润状态，提高了溶液成膜的均匀性，并强化了器件性能和制造成本。同时相对于传统工艺，本发明方法操作简单易行且可控性高，可在不增加制作工艺前提下降低制作难度，并最终降低整体成本和提高了器件利润空间。

主权项

1.一种印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上沉积TFT驱动阵列，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层；B、在阳极层上涂覆光刻胶，并采用曝光的方法将光刻胶制作成梯形结构的像素界定层，然后在梯形结构的像素界定层的上部制作一粗糙层；C、在像素界定层的沟槽内依次制作电子注入层、电子传输层和量子点发光层；D、在量子点发光层上依次制作空穴传输层、空穴注入层和阴极层，得到印刷AM-QDLED器件；所述粗糙层是通过纳米压印技术制备得到, 压印槽深度h< 50 nm，压印槽宽度< 25nm，表面粗糙度r为1.5 < r < 6，r为实际表面面积和表面表象面积之比。