[发明专利]一种芍药利用自然低温促成栽培方法

摘要

本发明涉及一种芍药利用自然低温促成栽培方法，包括以下步骤：将芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地中，期间平均温度为20‑8℃；11月中旬到12月中旬，平均温度‑15℃到‑25℃，冻土层厚度为5‑15cm时，将芍药苗于露地起苗，晾置5‑7d；使用生根粉和赤霉素处理组合溶液处理芍药根部，其中所选用生根粉浓度为0‑150mg/L，赤霉素浓度为0‑300mg/L；将激素处理后的芍药苗植入花盆中，将盆栽移入温室；将植入花盆的芍药苗在温室中培养，辅以补光、温湿度调节措施。本发明使用激素处理结合自然低温打破芍药休眠状态，能够促进芍药提前开花，为芍药盆花促成栽培提供了新途径，且该方法对场地没有限制，避免租用冷库，降低了成本，节能环保。

主权项

1.一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)苗木准备：将4‑5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地中，期间平均温度为20‑8℃；所述芍药的栽培地区为赤峰地区；(2)起苗：11月中旬到12月中旬，平均温度‑15℃到‑25℃，冻土层厚度为5‑15cm，将芍药苗于露地起苗，晾置5‑7d；(3)激素处理：使用生根粉和赤霉素组合溶液处理芍药根部，先使用生根粉溶液喷撒芍药根部至淋漓，待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓，其中所选用的生根粉浓度为100mg/L，赤霉素浓度为200mg/L；(4)上盆：将激素处理后的芍药苗植入花盆中，将盆栽移入温室中置于温室庇荫处养护，两天后浇透水，待1‑2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理；在所述花盆底部放置粗粒基质和100g/盆的复合肥，花盆中栽培基质采用有机质∶园土∶沙土＝1∶3∶2的比例配制，栽培基质放置于粗粒基质和复合肥之上；(5)温室培养：将盆栽芍药苗在温室中培养，芍药萌发后辅以补光、温湿度调节措施。