[发明专利]热释电红外探测单元及制造方法及其热释电红外探测器在审

专利信息
申请号: 201510730060.3 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN105258806A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 刘子骥;梁志清 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20;G01J5/02
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谭新民
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例公开了一种热释电探测单元,包括:陶瓷衬底;钽酸锂晶片;下电极层,形成在钽酸锂晶片的第一表面上,并且由多孔黑金金属薄膜形成并与陶瓷衬底接触;上电极层,形成在钽酸锂晶片的第二表面上,并且由黑金金属薄膜形成;过渡层,形成在上电极层上;介质层,形成在过渡层上;吸收层,形成在介质层上。本发明的实施例中,下电极层是多孔的结构,具有较大的孔率,因此热传导率较低,可以降低热损失。因此该热释电探测器可以较多的吸收红外辐射及太赫兹辐射,具有较小的热损失,从而提高了热释电探测器的性能。
搜索关键词: 热释电 红外 探测 单元 制造 方法 及其 红外探测器
【主权项】:
一种热释电探测单元,其特征在于,包括:陶瓷衬底;钽酸锂晶片,所述钽酸锂晶片包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;下电极层,所述下电极层形成在所述钽酸锂晶片的第一表面上,并且所述下电极层由多孔黑金金属薄膜形成,其中所述下电极层与所述陶瓷衬底接触;上电极层,所述上电极层形成在所述钽酸锂晶片的第二表面上,并且所述上电极层由黑金金属薄膜形成;过渡层,所述过渡层形成在所述上电极层上,并且所述过渡层由铁氧体材料形成;介质层,所述介质层形成在所述过渡层上,并且所述介质层由氮化硅材料形成;吸收层,所述吸收层形成在所述介质层上,并且所述吸收层由黑金金属薄膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510730060.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top