[发明专利]像素电极及阵列基板在审
| 申请号： | 201510706723.8 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105158995A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 郭晋波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素电极及阵列基板，该像素电极划分为四个配向区域，且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极：躯干电极，分别沿水平方向与垂直方向设置，且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处；分支电极，从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸；其中，在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。该像素电极显著地减少了像素单元内部的暗纹区域的面积，进而提升了像素的穿透率，有利于改善显示的画质。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电极 阵列 | ||
【主权项】：
一种像素电极，划分为四个配向区域，且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极：躯干电极，分别沿水平方向与垂直方向设置，且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处；分支电极，从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸；其中，在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。
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