[发明专利]曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板

摘要

一种曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板，用于检验曝光机挡光片的开口大小，所述检验方法包括：提供晶圆；提供测试掩膜板，所述测试掩膜板上形成有第一测试图形和第二测试图形；先对第一测试图形进行曝光，再对第二测试图形进行曝光，先后在晶圆上形成第一对准图形和第二对准图形，第一对准图形和第二对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定；采用曝光机对所述第一对准图形和第二对准图形进行对准测试。本发明先形成第一对准图形和第二对准图形再采用曝光机进行对准测试，如果检测不到第一对准图形，则判断挡光片的开口过大；如果检测不到第二对准图形，则判断挡光片的开口过小，从而提高了检验挡光片开口大小的可靠性和精度。

主权项

1.一种曝光工艺的检验方法，用于检验曝光机挡光片的开口大小，其特征在于，包括：/n提供晶圆，所述晶圆包括曝光单元区；/n提供测试掩膜板，所述测试掩膜板上形成有测试图形，所述测试图形包括第一测试图形和第二测试图形，所述第一测试图形包括不透光区以及位于所述不透光区中的透光图形，所述第二测试图形包括透光区以及位于所述透光区中的不透光图形；/n采用曝光机对所述测试掩膜板上的所述第一测试图形进行第一曝光，在所述晶圆的曝光单元区内形成位于非曝光区的第一对准图形；/n第一曝光后采用曝光机对所述测试掩膜板上的所述第二测试图形进行第二曝光，在所述晶圆的曝光单元区内形成位于曝光区且与所述第一对准图形相邻的第二对准图形，所述第二对准图形和第一对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定；/n采用曝光机对所述晶圆曝光单元区内的第一对准图形和第二对准图形进行对准测试，通过是否能检测到所述第一对准图形和第二对准图形判断曝光机挡光片的开口大小是否在允许偏差范围之内；/n所述挡光片的允许偏差范围指的是：采用曝光机对测试掩膜板进行曝光后，在不影响在晶圆上形成的图形质量的情况下，所述挡光片的开口大小的最大值和最小值之间的范围值。/n