[发明专利]一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路在审
申请号: | 201510703629.7 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105245091A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 钱钦松;刘鹏;俞居正;刘斯扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人: | 王斌 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路,包括直流电压源V、MOS管Q1、储能电容C、储能电感L、MOS管Q2和MOS管Q3,直流电压源V的正极连接MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的栅极连接外接控制信号I,MOS管Q1的源极连接储能电容C的一端和储能电感L的一端,储能电容C的另一端接地,储能电感L的另一端连接MOS管Q2的漏极和MOS管Q3的源极,MOS管Q2的栅极连接外接控制信号II,MOS管Q2的源极连接直流电压源V的负极并接地,MOS管Q3的栅极连接外接控制信号III,MOS管Q3的漏极连接功率变换器中功率MOS管Q4的栅极;外接控制信号I、外接控制信号II和外接控制信号III都是由占空比可调的波形发生器所提供。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 变换器 mos 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路,其特征在于:包括直流电压源V、MOS管Q1、储能电容C、储能电感L、MOS管Q2和MOS管Q3,直流电压源V的正极连接MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的栅极连接外接控制信号I,MOS管Q1的源极连接储能电容C的一端和储能电感L的一端,储能电容C的另一端接地,储能电感L的另一端连接MOS管Q2的漏极和MOS管Q3的源极,MOS管Q2的栅极连接外接控制信号II,MOS管Q2的源极连接直流电压源V的负极并接地,MOS管Q3的栅极连接外接控制信号III,MOS管Q3的漏极作为驱动电路的输出,连接功率变换器中功率MOS管Q4的栅极;外接控制信号I、外接控制信号II和外接控制信号III都是由占空比可调的波形发生器所提供;上述驱动电路在开关电源中功率MOS管Q4的一个开关周期内,MOS管Q1只开关一次,在功率MOS管Q4开通过程中,储能电容C中的能量通过由储能电容C、储能电感L、MOS管Q2和MOS管Q3组成的等效Boost电路传递到功率MOS管Q4的栅极,在功率MOS管Q4关断过程中,功率MOS管Q4栅极上的能量通过由MOS管Q3、MOS管Q2、储能电感L和储能电容C组成的等效Buck电路返回到储能电容C中。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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