[发明专利]新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法

摘要

本发明涉及新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法，其中，提供形成具有低掺杂与高掺杂活性部分的FinFET鳍及/或具有斜型侧壁的FinFET鳍以供Vt调整及多Vt形态用的方法及其产生的装置。具体实施例包括形成Si鳍，Si鳍具有顶端活性部分及底端活性部分；在Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入Si鳍；使氧化层凹陷以显露Si鳍的活性顶端部分；蚀刻Si鳍的顶端活性部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物；使凹陷的氧化层凹陷以显露Si鳍的活性底端部分；以及斜削Si鳍的活性底端部分。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：形成硅(Si)鳍，该Si鳍具有活性顶端部分和活性底端部分；在该Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在该Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入该Si鳍；使该氧化层凹陷以显露该Si鳍的该活性顶端部分；蚀刻该Si鳍的该活性顶端部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物，该氮化物间隔物具有顶端部分和底端部分，其中，该氮化物间隔物的该顶端部分与该硬罩相接触；使该凹陷的氧化层凹陷以显露该Si鳍的该活性底端部分；以及斜削该Si鳍的该活性底端部分，其中，该Si鳍的该对立侧从该凹陷的氧化层处该Si鳍的较宽部分以直线延伸至该Si鳍与该氮化物间隔物的该底端部分相接触的该Si鳍的较窄部分。