[发明专利]一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置在审

专利信息
申请号: 201510679240.3 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN105256369A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 胡凡;陈特超 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 周长清
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,包括由内至外依次同轴套设的内水套组件、进气组件和安装法兰,所述进气组件包括同轴间隔套设的多层进气圈和密封环,多层进气圈由外至内逐层伸长,每一个进气圈的顶端均开设进气口,末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面,进气口的周缘焊接密封环,所述多个密封环均设置于安装法兰的外侧且多个密封环之间、最外层的密封环与安装法兰之间均间隔布置。本发明的有益效果为:各密封环与对应的各进气圈之间形成的焊缝均暴露在进气装置的外表面,方便检修,且各密封环之间间隔布置,方便补焊。
搜索关键词: 一种 用于 sic 外延 耐高温 水平 多层 装置
【主权项】:
一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,包括由内至外依次同轴套设的内水套组件(1)、进气组件(2)和安装法兰(3),其特征在于,所述进气组件(2)包括同轴间隔套设的多层进气圈(20)和密封环(4),多层进气圈(20)由外至内逐层伸长,每一个进气圈(20)的顶端均开设进气口(200),末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面(210),进气口(200)的周缘焊接密封环(4),所述多个密封环(4)均设置于安装法兰(3)的外侧且多个密封环(4)之间、最外层的密封环(4)与安装法兰(3)之间均间隔布置。
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