[发明专利]交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法有效
| 申请号： | 201510667019.6 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105448320B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器，包括若干第一向导线、与所述若干第一向导线间隔且交叉设置的若干第二向导线，以及由所述若干第一向导线和所述若干第二向导线相互交叉所限定的若干交叉节点；每个所述交叉节点均设置有磁记忆单元，所述磁记忆单元分别与其所处交叉节点处的第一向导线和第二向导线电连接；所述磁记忆单元包括磁电阻元件，以及与所述磁电阻元件电连接的二极管；所述磁电阻元件包括垂直型磁性隧道结，从而所述磁电阻元件可通过流经其中的电流来改变其电阻态。本发明还提供了上述磁性随机存储器的读写方法。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉 矩阵 磁性 随机 存储器 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括若干第一向导线、与所述若干第一向导线间隔且交叉设置的若干第二向导线，以及由所述若干第一向导线和所述若干第二向导线相互交叉所限定的若干交叉节点；每个所述交叉节点均设置有磁记忆单元，所述磁记忆单元分别与其所处交叉节点处的第一向导线和第二向导线电连接；所述磁记忆单元包括磁电阻元件，以及与所述磁电阻元件电连接的二极管；所述磁电阻元件包括垂直型磁性隧道结，从而所述磁电阻元件可通过流经其中的电流来改变其电阻态；在磁记忆单元上加载正向电压，当作用在二极管上的压降大于二极管的正向导通电压时形成正向电流通路，然后将磁电阻元件写入第一电阻态；在磁记忆单元上加载反向电压，当作用在二极管上的压降大于二极管的反向击穿电压时形成反向电流通路，然后将磁电阻元件写入第二电阻态。
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