[发明专利]LDO电路

摘要

本发明公开了一种LDO电路,包括：过冲抑制电路和LDO主体电路；过冲抑制电路包括电流比较器、第二PMOS管、第一电阻、第一电容和第三PMOS管；电流比较器对LDO主体电路的差分放大器的尾电流和第一有源负载的镜像电流进行比较，在上电过程中，利用尾电流早于第一有源负载的电流建立的特点使电流比较器输出一低电平并使第二PMOS管导通，第二PMOS管导通后对第一电容进行充电，使第三PMOS管的栅极电压滞后于电源电压的上升从而使第三PMOS管导通，第三PMOS管导通使得LDO主体电路输出端的第一PMOS管的栅极电压跟随电源电压变化，从而消除在上电过程中LDO输出电压产生过冲。

主权项

一种LDO电路,其特征在于,包括：过冲抑制电路和LDO主体电路；所述LDO主体电路包括差分放大器、第一PMOS管和串联电阻；所述差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接反馈电压、输出端连接到所述第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述串联电阻连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间，由所述第一PMOS管的漏极输出LDO输出电压，所述串联电阻的对所述LDO输出电压分压后得到所述反馈电压；所述差分放大器包括两个互为镜像的第一有源负载和第二有源负载，所述差分放大器还包括尾电流；所述过冲抑制电路包括电流比较器、第二PMOS管、第一电阻、第一电容和第三PMOS管；所述第二PMOS管的源极接电源电压，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一电阻第一端，所述第一电容的第一端连接所述第一电阻的第二端，所述第一电容的第二端接地，所述第二PMOS管的栅极连接所述电流比较器的输出端；所述第三PMOS管的栅极连接所述第一电容的第一端，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的漏极连接到所述第一PMOS管的栅极，令所述第一PMOS管的栅极的连接点为第一节点；所述电流比较器对所述尾电流的镜像电流和所述第一有源负载的镜像电流进行比较；在上电过程中，利用所述尾电流建立早于所述第一有源负载的电流建立的特点使所述电流比较器输出一低电平并使所述第二PMOS管导通，所述第二PMOS管导通后对所述第一电容进行充电，所述第一电容的充电使所述第三PMOS管的栅极电压滞后于所述电源电压的上升从而使所述第三PMOS管导通，所述第三PMOS管导通使得所述第一节点的电压跟随所述电源电压变化从而所述第一节点电压的上升速率和所述电源电压的上升速率保持一致，从而消除在上电过程中所述第一节点电压较低而使所述LDO输出电压产生过冲；上电结束后，所述第一电容充电到所述电源电压的大小而使所述第三PMOS管断开。