[发明专利]一种紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法有效
| 申请号： | 201510632642.8 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105336820B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 田野;罗飞;刘大博;祁洪飞 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心11008 | 代理人： | 李建英 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电器件领域，涉及一种紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法，具体为一种Au/MgO/CdZnO/SiMIS结构的紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法。该器件包括衬底，衬底正面自下而上依次沉积有CdZnO薄膜、MgO薄膜和Au电极，衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明器件利用对溅射的CdZnO薄膜进行热处理，得到ZnO及CdZnO共存的薄膜发光层，在一定的正向偏压下(衬底接负电压)，该薄膜能够发出位于紫外、可见区的电致发光。而且器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 可见 并存 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外及可见并存的电致发光器件的制备方法，包括：(1)采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜，其中沉积CdZnO薄膜所用的靶材为CdZnO陶瓷靶，CdZnO陶瓷靶中Cd掺杂量以摩尔含量计为60％，衬底加热温度为400～500℃，溅射功率为120W，溅射时间为1小时，气压为4Pa，随后将薄膜放入惰性气氛保护下的管式炉中进行热处理，热处理的温度为600～800℃，热处理的时间为10～60分钟，所述的衬底为N型硅片；(2)采用溶胶‑凝胶法在CdZnO薄膜上制备MgO薄膜，随后对CdZnO/MgO薄膜进行加热处理，加热处理温度为300～400℃，加热处理时间为1～2小时；(3)采用溅射法在CdZnO/MgO薄膜的MgO薄膜面上沉积半透明Au电极，在衬底背面沉积欧姆接触电极。
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