[发明专利]光刻返工过程中的表面处理方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻返工过程中的表面处理方法，通过在去除光刻胶并完成对硬质掩膜层或抗反射层表面的清洗和干燥工艺后进行快速热处理工艺，以修复硬质掩膜层或抗反射层的表面形貌，降低表面悬键数量，减少由形貌不佳，悬键过多，造成的缺陷，同时提高膜层抗腐蚀能力，从而提高在后续于硬质掩膜层或抗反射层上重新旋涂的光刻胶与硬质掩膜层或抗反射层的附着力，防止光刻胶脱落并提高图形精度，进而有效提高产出和良率。

主权项

一种光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和设置于所述薄膜层上表面的待返工的光刻胶；步骤S2，采用等离子体去除所述待返工的光刻胶；步骤S3，依次对所述半导体结构的表面进行清洗和干燥工艺；步骤S4，继续对所述半导体结构进行快速热处理工艺；步骤S5，于所述薄膜层上表面重新涂覆光刻胶。