[发明专利]激光二极管装置在审
申请号: | 201510583595.2 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN105207052A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 艾尔弗雷德·莱尔;森克·陶茨;乌韦·施特劳斯;克莱门斯·菲尔海利希 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/024;H01S5/028 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提出一种激光二极管装置,具有:壳体(1),其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11),装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸;以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2),激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24),其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3),第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度,并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27),在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。 | ||
搜索关键词: | 激光二极管 装置 | ||
【主权项】:
激光二极管装置,具有:壳体(1),所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11),所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸;以及在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2),所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层,所述半导体层带有用于射出光的有源层(23),其中,在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3),所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度,并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27),在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。
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