[发明专利]激光二极管装置

权利要求书

1.激光二极管装置，具有：

壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及

在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，

其中，

在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。

2.激光二极管装置，具有：

壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及

在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，

其中，

所述壳体部件(10)和所述装配件(11)具有铜制基体，并且至少所述壳体部件(10)被钢包封，

在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。

3.激光二极管装置，具有：

壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及

在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，

其中，

在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由介电材料构成。

5.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由氧化物构成。

6.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)具有多个结晶层。

7.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述辐射耦合输出面(27)上施加有光学层(7)。

8.如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述结晶保护层(6)之间并且由所述结晶保护层(6)覆盖。

9.如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述光学层(7)之间。

10.如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)由所述结晶保护层(6)构成。

11.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)上施加有结晶保护层(6)。

12.如权利要求11所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的连接所述后侧面(28)和所述辐射耦合输出面(27)的侧面(29)上施加有结晶保护层(6)。

13.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述第一焊料层(3)的厚度大于或等于3μm。

14.如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有导热元件(4)。

15.如权利要求14所述的激光二极管装置，其中，所述导热元件(4)借助所述第一焊料层(3)固定在所述装配件(11)上，并且所述激光二极管芯片(2)借助第二焊料层(5)固定在所述导热元件(4)上，所述第二焊料层具有大于或等于2μm的厚度。