[发明专利]一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片在审

专利信息
申请号: 201510562432.6 申请日: 2015-09-07
公开(公告)号: CN106505136A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 包建敏;包晓通;章志凤 申请(专利权)人: 包建敏
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46;H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201601 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,利用深紫外光能透过石英玻璃的特性,让石英玻璃单面出光,另一平面上则生长深紫外GaN的LED结构层,芯片上的正电极P与负电极N,用来传热散热,进出电流及焊接热沉,石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片的诞生为后续产品的封装,可省掉导线架、打线、封胶等工艺,用石英玻璃做芯片透镜既保护了外延层,又提升了抗静电能力,对降氧化,延长器件的寿命都起了重要作用,采用上述倒装技术方案后,可有效提高LED芯片的热管理,且芯片可通大电流,可杜绝因金线虚焊或接触不良所引起的闪烁,解决了深紫外LED芯片的散热难,功率小,寿命短,光衰大的难题。
搜索关键词: 一种 石英玻璃 衬底 led 深紫 倒装 芯片
【主权项】:
一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,其特征在于:包括石英玻璃层、GaN的N层、N负电极、氮化铝镓发光层、GaN的P层、反射层及P正电极,其特征在于:所述的石英玻璃既是倒装芯片的衬底又是倒装芯片的透镜,让石英玻璃单面出光,另一面生长深紫外GaN基LED结构层,GaN的N层生长在石英玻璃面上,氮化铝镓发光层生长在GaN的N层与石英玻璃平面上,GaN的P层设置在氮化铝镓发光层上,N负电极与GaN的N层相连接,P电极与GaN的P层相连接,P电极与N电极的GaN的P层交接处设有反射层,P正电极与N负电极是用于传导热,进出电流及焊接热沉的接触面。
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