[发明专利]存储系统的操作方法有效
| 申请号： | 201510560004.X | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN105719696B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李炯珉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储系统的读取方法包括：第一步骤，对储存在非易失性存储器件中的第一数据执行第一ECC译码，第一数据使用第一读取电压读取；第二步骤，当第一ECC译码失败时，通过使用第二读取电压重新读取第一数据，产生第二数据；第三步骤，通过对第二数据执行第二ECC译码产生第三数据；第四步骤，当第二ECC译码失败时，通过对第二数据与第三数据之间不同的位进行计数获得错误位的数目；第五步骤，通过改变第二读取电压重复第二至第四步骤，直到错误位的数目小于预定阈值；第六步骤，将错误位的数目小于预定阈值时的第二读取电压设定为最佳读取电压，进一步将使用最佳读取电压读取的第二数据设定为最佳数据；第七步骤，对最佳数据执行第三ECC译码。 | ||
| 搜索关键词： | 存储系统 操作方法 | ||
【主权项】：
一种包括非易失性存储器件和存储控制器的半导体存储系统的读取方法，所述读取方法包括：第一步骤，对储存在非易失性存储器件中的第一数据执行第一ECC译码，其中，第一数据使用第一读取电压来读取；第二步骤，当第一ECC译码失败时，通过使用第二读取电压重新读取第一数据，来产生第二数据；第三步骤，通过对第二数据执行第二ECC译码来产生第三数据；第四步骤，当第二ECC译码失败时，通过对第二数据与第三数据之间不同的位进行计数来获得错误位的数目；第五步骤，通过改变第二读取电压来重复第二步骤至第四步骤，直到错误位的数目小于预定阈值；第六步骤，将错误位的数目小于预定阈值时的第二读取电压设定为最佳读取电压，并进一步将使用最佳读取电压读取的第二数据设定为最佳数据；以及第七步骤，对最佳数据执行第三ECC译码。
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