[发明专利]存储系统的操作方法

权利要求书

1.一种包括非易失性存储器件和存储控制器的半导体存储系统的读取方法，所述读取方法包括：

第一步骤，对储存在非易失性存储器件中的第一数据执行第一ECC译码，其中，第一数据使用第一读取电压来读取；

第二步骤，当第一ECC译码失败时，通过使用第二读取电压重新读取第一数据，来产生第二数据；

第三步骤，通过对第二数据执行第二ECC译码来产生第三数据；

第四步骤，当第二ECC译码失败时，获得错误位数目，所述错误位数目是第二数据与第三数据之间不同的位的数目；

第五步骤，通过改变第二读取电压来重复第二步骤至第四步骤，直到错误位数目小于预定阈值；以及

第六步骤，对最佳数据执行第三ECC译码，所述最佳数据是使用第二读取电压读取的第二数据，在第二读取电压时错误位数目小于预定阈值。

2.如权利要求1所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第四步骤对第二数据和第三数据执行异或操作，以获得错误位的数目。

3.如权利要求1所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第五步骤通过利用固定量的电压变化改变第二读取电压，来重复第二步骤至第四步骤。

4.如权利要求1所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第二ECC译码为硬译码。

5.如权利要求1所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第三ECC译码为软译码。

6.一种包括非易失性存储器件和存储控制器的半导体存储系统的读取方法，所述读取方法包括：

第一步骤，对储存在非易失性存储器件中的第一数据执行第一ECC译码，其中使用第一读取电压读取第一数据；

第二步骤，当第一ECC译码失败时，通过使用第二读取电压重新读取第一数据，来产生第二数据；

第三步骤，通过对第二数据执行第二ECC译码，来产生第三数据；

第四步骤，当第二ECC译码失败时，获得错误位数目，所述错误位数目是第二数据与第三数据之间不同的位的数目；

第五步骤，通过重复N次第二步骤至第四步骤通过改变第二读取电压，来获得N组错误位数目；以及

第六步骤，对最佳数据执行第三ECC译码，所述最佳数据是使用第二读取电压读取的第二数据，在N组错误位数目中在第二读取电压时的错误位数目是最小的。

7.如权利要求6所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第四步骤通过对第二数据和第三数据的异或操作来获得错误位的数目。

8.如权利要求6所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第五步骤通过将第二读取电压改变固定量的电压变化来重复第二步骤至第四步骤。

9.如权利要求6所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第二ECC译码为硬译码。

10.如权利要求6所述的半导体存储系统的读取方法，其中，第三ECC译码为软译码。

11.一种包括非易失性存储器件和存储控制器的半导体存储系统的读取方法，所述读取方法包括：

第一步骤，对储存在非易失性存储器件中的第一数据执行第一ECC译码，其中，第一数据使用第一读取电压来读取；

第二步骤，当第一ECC译码失败时，通过使用第二读取电压重新读取第一数据，来产生第二数据；

第三步骤，通过对第二数据执行第二ECC译码，来产生第三数据；

第四步骤，当第二ECC译码失败时，获得错误位数目，所述错误位数目是第二数据与第三数据之间不同的位的数目；

第五步骤，通过改变第二读取电压通过将第二步骤至第四步骤重复N次，获得N组错误位数目，直到错误位的数目小于预定阈值；以及

第六步骤，对第一最佳数据执行第三ECC译码，所述第一最佳数据是使用第二读取电压读取的第二数据，在重复第二步骤至第四步骤达到N次之前在第二读取电压时错误位数目小于预定阈值。