[发明专利]图案形成方法有效
| 申请号： | 201510549468.0 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106066574B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 大理知哉;近藤丈博;金田直也;曾田荣一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及图案形成方法。根据一个实施例，首先，在处理对象膜上形成由第一辐射敏感性组合物制成的第一抗蚀剂膜。然后，对第一抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。之后，执行不溶解处理以使第一抗蚀剂图案不溶于第二辐射敏感性组合物的溶剂。接着，在第一抗蚀剂图案上形成由第二辐射敏感性组合物制成的第二抗蚀剂膜。接着，对第二抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。第一辐射敏感性组合物和第二辐射敏感性组合物中的至少一者由对等离子体蚀刻时存在的氧具有耐受性的高分子化合物制成。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，包括：在处理对象膜上形成由第一辐射敏感性组合物制成的第一抗蚀剂膜；对所述第一抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案；执行不溶解处理，以使所述第一抗蚀剂图案不溶于第二辐射敏感性组合物的溶剂；在所述第一抗蚀剂图案上形成由所述第二辐射敏感性组合物制成的第二抗蚀剂膜；对所述第二抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案；以及在形成所述第二抗蚀剂图案之后，通过等离子体蚀刻在所述处理对象膜中形成孔图案和与所述孔图案相连的沟槽图案，其中，在形成所述孔图案和所述沟槽图案的过程中，交替地执行使用包含基于碳氟化合物的气体作为主要成分的气体的等离子体蚀刻和使用包含氧作为主要成分的气体的等离子体蚀刻，其中所述第一辐射敏感性组合物和所述第二辐射敏感性组合物中的至少一者由对等离子体蚀刻时存在的氧具有耐受性的高分子化合物制成，所述第一辐射敏感性组合物对等离子体蚀刻时存在的氧的蚀刻耐受性不同于所述第二辐射敏感性组合物，并且其中所述第一抗蚀剂图案由设置有所述孔图案的所述第一抗蚀剂膜形成，并且所述第二抗蚀剂图案由设置有与所述孔图案相连的所述沟槽图案的所述第二抗蚀剂膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510549468.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
