[发明专利]套刻精度补偿方法

摘要

本发明提供一种套刻精度补偿方法，采用本发明提供的掩模板，能够在晶圆制作过程中，在晶圆的前层上形成能被曝光机台识别坐标参数的多个测试标记。在对后层进行曝光之前，曝光机台读取所述多个测试标记在晶圆上位置分布的坐标参数，所述坐标参数能够反应前层的形变数据，以所述坐标参数生成套刻补偿参数，所述套刻补偿参数能够反映前层整体位置的位置偏移以及形变，根据所述套刻补偿参数，调整对后层的曝光参数，然后对晶圆进行曝光，以提高后层与前层之间的套刻精度。因此发明能够在晶圆制作时实时地对套刻精度进行补偿，并改善晶圆畸变产生的套刻不良。

主权项

1.一种套刻精度补偿方法，其特征在于，包括：提供曝光机台、第一掩模板和第二掩模板，所述第一掩模板上设有测试图形；提供晶圆，所述晶圆包括多个晶粒，所述晶圆上设有前层；采用所述第一掩模板对所述晶圆的前层进行光刻，在前层上形成多个与测试图形相对应的测试标记，形成测试标记的步骤包括：通过所述第一掩模板在每一晶粒中均形成所述测试标记；对所述晶圆的前层进行光刻后，所述晶圆的前层划分为多个区域，每个所述区域在晶圆上位置数据的设计值为每个区域的原始设计坐标参数，每个所述区域在前层上形成之后的实际位置数据为实际坐标参数；将第二掩模板放入所述曝光机台中，通过曝光机台识别所述测试标记，并获得所述测试标记在晶圆上的坐标参数，所述测试标记在晶圆上的坐标参数为所述测试标记所在区域的实际坐标参数；根据所述坐标参数得出前层的形变数据，以所述形变数据生成套刻补偿参数；根据所述套刻补偿参数，调整第二掩模板的曝光参数，根据调整后的曝光参数对晶圆的后层进行曝光。