[发明专利]一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法在审
| 申请号： | 201510524097.0 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105067529A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨;吕爱霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法，包括：步骤1)测量半导体器件材料被测位置的厚度d及反射率R；步骤2)利用能量计分别测量照射于被测位置一面的光能量E1和经被测位置另一面穿透的光能量E2后，计算获得经被测位置一面反射后入射至材料内的光能量E0＝E1(1-R)，和穿透至被测位置另一面反射前的光能量E＝E2/(1-R)；步骤3)利用公式E＝E0e-αd计算得到材料的吸收系数α。利用该光学测量方法能够实现材料吸收系数的现场原位测量，降低了测量成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 材料 吸收系数 光学 测量方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法，其特征在于，包括：步骤1)测量半导体器件材料被测位置的厚度d及反射率R；步骤2)利用能量计分别测量照射于被测位置一面的光能量E1和经被测位置另一面穿透的光能量E2后，计算获得经被测位置一面反射后入射至材料内的光能量E0＝E1(1‑R)，和穿透至被测位置另一面反射前的光能量E＝E2/(1‑R)；步骤3)利用公式E＝E0e‑αd计算得到材料的吸收系数α。
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