[发明专利]一种系统级封装器件的结构分析方法有效

专利信息
申请号: 201510509195.7 申请日: 2015-08-18
公开(公告)号: CN105158417B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 王智彬;朱恒静;张延伟;孟猛;龚欣;王旭;段超;张伟;丁鸷敏 申请(专利权)人: 中国空间技术研究院
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00;G01R31/00
代理公司: 中国航天科技专利中心11009 代理人: 安丽
地址: 100194 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种系统级封装器件的结构分析方法,在SiP器件结构单元分解的基础上,对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价后,在评价中考虑了SiP器件各结构单元之间的影响,包括力、热、力热耦合和电磁等;然后又进行环境应力试验,对SiP器件综合全面的分析评价。本发明提高了分析结果的可靠性,满足了航天应用的可靠性要求。
搜索关键词: 一种 系统 封装 器件 结构 分析 方法
【主权项】:
一种系统级封装器件的结构分析方法,其特征在于实现步骤如下:(1)对系统级封装器件即SiP器件进行结构单元分解,得到分解后的结构单元,并识别其中的结构要素;(2)对步骤(1)得到的SiP器件中每个结构单元进行可靠性评价,是否满足航天应用要求;如果满足则进入步骤(3),如果不满足,则该SiP器件不适合航天应用,则结构分析过程结束;(3)对SiP器件进行力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价,其中力的仿真分析与评价包括SiP器件在振动、冲击及恒加速度中的力学响应与产品耐受强度是否符合航天应用的可靠性裕度要求,同时找出SiP器件的力学薄弱点;热的仿真分析与评价包括SiP器件在不同温度工作环境、不同工作模式下SiP器件的内部元器件的热分布与内部元器件耐受的温度应力极限是否符合航天应用的可靠性裕度要求;力热耦合仿真分析与评价包括温度冲击与循环试验过程中,SiP器件的内部元器件及装联产生的热应力是否符合航天应用的可靠性裕度要求;电磁仿真分析与评价包括SiP器件的内部元器件之间的电磁兼容与电磁干扰是否符合航天应用的可靠性裕度要求;如果SiP器件通过了上述所有的力、热、力热耦合、电磁的仿真分析与评价则进入步骤(4),否则有力、热、力热耦合、电磁的任何一项未通过,则该SiP器件不适合航天应用,则结构分析过程结束;(4)对SiP器件进行环境应力试验,环境应力试验包括力学环境应力试验和热学环境应力试验,环境应力试验中加电监测SiP器件的功能;同时在力学环境应力试验中,在步骤(3)中的找出的力学薄弱点安放力学传感器监测力学响应;在热学环境应力试验中,记录热学环境应力试验中SiP器件内的热分布;如果SiP器件通过了力学环境应力试验和热学环境应力试验且力学响应和热分布均符合航天应用的可靠性裕度要求,则整个结构分析过程结束,该SiP器件适合航天应用;否则有力学环境应力试验和热学环境应力试验任何一项未通过,则该SiP器件不适合航天应用,结构分析过程结束。
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