[发明专利]一种NandFlash中模拟用户数据存储的方法有效
| 申请号： | 201510496655.7 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105183369B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 庄开锋 | 申请（专利权）人： | 北京京存技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/1009 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NandFlash中模拟用户数据存储的方法，包括获取物理页中各个物理扇区的用户数据存储信息，并存储到数据文件的第一存储单元，其中每个物理扇区用于存储512字节用户数据，所述用户数据存储信息的长度为8字节；获取所述物理页中带外数据信息，将所述带外数据信息存储到数据文件的第二存储单元，其中，所述数据文件存储于内存中。本发明能够解决FTL测试中用户数据访问效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 模拟 用户 数据 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种NandFlash中模拟用户数据存储的方法，其特征在于，包括：获取物理页中各个物理扇区的用户数据存储信息，并存储到数据文件的第一存储单元，其中每个物理扇区用于存储512字节用户数据，所述用户数据存储信息的长度为8字节；获取所述物理页中带外数据信息，将所述带外数据信息存储到数据文件的第二存储单元，其中，所述数据文件存储于内存中；其中，所述数据文件包括8个或者16个所述第一存储单元和1个所述第二存储单元；所述带外数据包括纠错校验数据和所述物理页中各物理扇区逻辑区块地址与物理地址转换的映射表。
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