[发明专利]氧化硅层蚀刻液有效
| 申请号： | 201510493448.6 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105368452B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李明镐;郑泰秀;文载雄;金东铉;姜敎元 | 申请（专利权）人： | 易安爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 董世豪;张淑珍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及包含如下成分的氧化硅层蚀刻液：氟化合物、具有2个以上的磺酸基的磺酸化合物或其盐、以及水。本发明所述的蚀刻液在维持对氧化硅层的蚀刻速度的同时，降低作为像素电极下部绝缘膜的氮化硅层的蚀刻速度，以使氮化层的损失最小化，保护下部膜，并使更薄的氮化层结构变得可行，从而减少在制造半导体时出现的缺陷，使得能够形成更加精细化的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种包含如下成分的氧化硅层蚀刻液：选自氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)中的一种或多种；具有下述化学式4‑7之一的磺酸化合物或其盐；以及水；[化学式4]![]()
[化学式5]![]()
[化学式6]![]()
[化学式7]![]()
其中，R2和R3各自独立地为氢原子或C1至C20的烷基，且R2和R3能够以一种或多种存在；p和q各自独立地为整数1；并且，所述化学式4‑7的磺酸化合物的分子量不大于1000，其中，100重量份的氧化硅层蚀刻液包含：0.01至60重量份的选自氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)中的一种或多种；0.001至5重量份的具有上述化学式4‑7之一的磺酸化合物或其盐；以及剩余量的水。
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