[发明专利]化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201510491035.4 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105171536A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张泽松;胡海天;李儒兴;陶仁峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：启动步骤，用于使得研磨液设置、研磨压力设置、研磨垫转速设置自初始值到达预设值；主研磨步骤，用于基于所述预设值对半导体表面的待研磨材料层进行研磨；清洗步骤，用于在所述主研磨步骤结束后，停止研磨液供应并对半导体衬底和研磨垫的表面进行清洗；还包括：冷却步骤，利用很低的研磨压力、较低的研磨垫和晶圆转速，同时用高压喷水，用于对清洗步骤后的研磨垫进行冷却。本发明改善了化学机械研磨后半导体衬底的片间厚度均匀性，减少了返工步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨的方法，包括：启动步骤，用于使得研磨液设置、研磨压力设置、研磨垫转速设置参数自初始值到达预设值；主研磨步骤，用于基于所述预设值对半导体表面的待研磨材料层进行研磨；清洗步骤，用于在所述主研磨步骤结束后，停止研磨液供应并对半导体衬底和研磨垫的表面进行清洗；其特征在于，还包括：冷却步骤，研磨压力不超过主研磨步骤的研磨压力的1/2，研磨垫的转速不超过主研磨步骤的研磨垫转速的1/2，半导体衬底的转速不超过主研磨步骤半导体衬底转速的1/2，清洗步骤中利用流速不小于3L/min的高压水进行清洗，用于对清洗步骤后的研磨垫进行冷却。
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