[发明专利]一种避免光刻机镜头过热的方法有效

专利信息
申请号: 201510489028.0 申请日: 2015-08-11
公开(公告)号: CN105093850B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭昇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/70
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种避免光刻机镜头过热的方法,提供若干在掩膜板的透光区域进行待填充的虚拟图形的结构;然后对测试掩膜版进行设计和制造,并进行光刻实验,根据光刻实验数据确定虚拟图形的形状和尺寸;接着进行芯片版图设计;再接着将芯片版图按照边长为A的正方形分成若干窗格,分析各窗格的透光率并确定各窗格中虚拟图形的填充量;然后对芯片掩膜版进行填充,在各窗格中填充预设形状、尺寸以及数量的虚拟图形;最后制造芯片掩膜版,并通过芯片掩膜板进行曝光工艺。本发明通过在掩膜板上填充不会再芯片上成像的虚拟图形,以降低掩膜板的透光区域面积占整个曝光单元面积的比例,减少了光刻机镜头吸收的能量,降低了连续曝光后镜头升高的温度。
搜索关键词: 一种 避免 光刻 镜头 过热 方法
【主权项】:
一种避免光刻机镜头过热的方法,所述光刻机从上往下依次包括光源、掩膜板以及投射物镜,投射物镜的下方设有待光刻的芯片;其特征在于,包括以下步骤:步骤S01、计算所述掩膜板的透光区域面积占整个曝光单元面积的比例W,并将其与所述投射物镜过热的临界透光比例Y进行对比,若W大于Y,则提供若干在掩膜板的透光区域进行待填充的虚拟图形的结构;其中,所述虚拟图形无法在芯片上成像;步骤S02、对测试掩膜版进行设计和制造,并进行光刻实验,根据光刻实验数据确定虚拟图形的形状和尺寸;步骤S03、进行芯片版图设计;步骤S04、将芯片版图按照边长为A的正方形分成若干窗格,分析各窗格的透光率并确定各窗格中虚拟图形的填充量,以使所述掩膜板的透光区域面积占整个曝光单元面积的比例W小于等于所述投射物镜过热的临界透光比例Y;步骤S05、对芯片掩膜版进行填充,在各窗格中填充步骤S02中预设形状、尺寸的虚拟图形以及步骤S04中预设数量的虚拟图形;步骤S06、制造芯片掩膜版,并通过芯片掩膜板进行曝光工艺。
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