[发明专利]一种膜电容器用掺混纳米氧化铟锡的高介电聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及介电薄膜材料制备领域，具体涉及一种膜电容器用掺混纳米氧化铟锡的高介电聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法，该复合薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜，并在基膜表面涂布厚度≤5μm的掺混纳米球形四氧化三铁磁粉、纳米氧化铟锡的纳米结晶纤维素/聚偏氯乙烯复合涂层,其与聚丙烯薄膜相容性好，附着牢固，其力学性能优良，强度高韧性好，具有高的介电常数和较低的介电损耗，介电性能稳定，充分的结合了有机/无机介电材料的优点，适合大规模生产，可用于生产小型化和大容量化、轻量化的膜电容器。

主权项

一种膜电容器用掺混纳米氧化铟锡的高介电聚丙烯基复合介电薄膜，其特征在于，该介电薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜，并在基膜表面涂布厚度≤5μm的复合涂层，所述的复合涂层由以下重量份的原料配制而成：纳米球形四氧化三铁磁粉1‑2、聚乙烯吡咯烷酮1‑1.5、纳米氧化铟锡2‑3、醇醚类溶剂10‑15、聚醚改性硅油0.1‑0.2、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、聚乙二醇400 0.3‑0.5、纳米结晶纤维素2‑3、聚偏氯乙烯10‑12。