[发明专利]一种降低镍侵蚀的方法在审
| 申请号： | 201510460418.5 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105097472A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低镍侵蚀的方法，包括在一半导体器件衬底上制备栅极、源漏极，以及包括：清洗半导体器件衬底，然后在源漏极上进行镍沉积，以在源漏极上方形成镍材料；采用物理气相沉积工艺在镍材料上形成一层氮化物层；对半导体器件衬底进行快速热处理工艺，从而使镍材料形成镍硅化物；其中，在快速热处理工艺中，氮化物层抑制镍材料中的镍元素的侧向扩散，从而降低了镍侵蚀，降低了漏电流，以及提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 侵蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种降低镍侵蚀的方法，包括在一半导体器件衬底上制备栅极、源漏极，所述半导体器件衬底的材料包含硅，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：清洗所述半导体器件衬底，然后在所述源漏极上进行镍沉积，以在源漏极上方形成镍材料；步骤02：采用物理气相沉积工艺在所述镍材料上形成一层氮化物层；步骤03：对所述半导体器件衬底进行快速热处理工艺，从而使所述镍材料形成镍硅化物；其中，在所述快速热处理工艺中，所述氮化物层抑制所述镍材料中的镍元素沿着所述半导体器件衬底中的硅晶界进行侧向扩散。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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