[发明专利]基于氧化石墨烯/石墨烯/硅的湿度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510442046.3 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105136860A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 徐杨;施添锦;万霞;王锋;王雪;俞滨;骆季奎 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化石墨烯/石墨烯/硅异质结构的湿度传感器及其制备方法，所述的湿度传感器包括为n型硅基体、硅窗口、二氧化硅绝缘层、石墨烯、氧化石墨烯、顶电极和底电极。本发明形成的石墨烯/硅肖特基结除了具有多子传输速度快，反应灵敏外还由于石墨烯的高透明，高导电，高导热，高机械强度而适用于超常规条件下的各种特殊应用。运用氧化石墨烯来作为湿度敏感层，来影响石墨烯/硅肖特基结电学特性，这种结构的湿度传感器，制作简便，能快速简便测量，灵敏度高，可与成熟的半导体硅技术结合封装制备成集成传感器，市场化前景可观。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 石墨 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于氧化石墨烯/石墨烯/硅异质结构的湿度传感器，其特征在于，自下而上依次有底电极（7）、n型硅基体（1）、二氧化硅隔离层（2），所述的二氧化硅隔离层（2）上开有窗口（3），二氧化硅隔离层上表面设有顶电极（4），顶电极（4）上叠盖有单层石墨烯（5）和氧化石墨烯薄膜层（6），单层石墨烯（5）与窗口（3）内的n型硅基体接触形成石墨烯/硅肖特基结，顶电极（4）的边界小于二氧化硅隔离层（2）的边界，单层石墨烯（5）和氧化石墨烯薄膜层（6）的边界均小于顶电极（4）的外边界。
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