[发明专利]一种用于集成电路的过流保护电路

摘要

本发明一种用于集成电路的过流保护电路，电源输入端电流经过电阻R2转化为电压量，电压量送至比较器U1A；电压量与比较器U1A的比较电压进行比较，判别集成电路是否处于过流状态，一旦处于过流状态，比较器U1A输出控制电压到MOSFET管切断Q2的导通，并将电阻R13和电容C2连接端的电压抬高，从而抑制电流的继续增大，当电流减小为0后，电压量恢复到电源输入电压，比较器U1A停止输出控制电压，此时电阻R13和电容C2公共端的电压仍能使得MOSFET管Q2处于关断状态，等到电容C2通过电阻R13将电荷泄放至电压小于MOSFET管Q2的导通阈值电压时，集成电路重新开始加电工作。

主权项

一种用于集成电路的过流保护电路，其特征在于：包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R12、电阻R13、电容C1、电容C2、比较器U1A、二极管D15、MOSFET管Q2；电源输入端分别接至电阻R2的一端以及电阻R4的一端；电阻R2的另一端分别接至电阻R3的一端以及MOSFET管Q2的源级；电阻R3的另一端分别接至电容C1的一端以及比较器U1A的负输入端；电容C1的另一端接地；电阻R4的另一端分别接至电阻R5的一端以及比较器U1A的正输入端；电阻R5的另一端接地；比较器U1A的输出端经电阻R6后接至二极管D15的阳极，二极管D15的阴极分别接至电阻R12的一端、电阻R13的一端以及电容C2的一端；电阻R13的另一端以及电容C2的另一端均接地；电阻R12的另一端接至MOSFET管Q2的栅极；MOSFET管Q2的漏极作为整个电路的输出接至外部集成电路；电源输入端电流经过电阻R2转化为电压量，电压量送至比较器U1A的负输入端；电压量与比较器U1A正输入端的比较电压通过比较器U1A进行比较，判别集成电路是否处于过流状态，一旦处于过流状态，比较器U1A输出控制电压到MOSFET管Q2的栅极切断MOSFET管Q2的导通，并将电阻R13和电容C2连接端的电压抬高，从而抑制电流的继续增大，当电流减小为0后，电压量恢复到电源输入电压，比较器U1A停止输出控制电压，此时电阻R13和电容C2公共端的电压仍能使得MOSFET管Q2处于关断状态，等到电容C2通过电阻R13将电荷泄放至电压小于MOSFET管Q2的导通阈值电压时，集成电路重新开始加电工作。