[发明专利]一种用于集成电路的过流保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及过流保护、单粒子锁定防护技术，特别适用于过流保护、集成电路锁定发生后自动断电进行保护，保护之后延迟一段时间自动加电。

背景技术

在探月三期工程中，月球轨道交会对接微波雷达存在几种单粒子锁定敏感的器件。单粒子会触发器件进入闩锁状态导致器件烧毁而不能正常工作，从而导致任务的部分功能失败。器件闩锁时表现在器件电流会增大很多因此只能通过加断电来解决。微波雷达设备使用的是一次电源+29V，器件的单粒子锁定所带来的电流的增大，在一次电源上很难反映出来。因此如果对设备进行电流检测从而实施加断电的话必然实现不了且会导致某些关键数据的丢失。

传统的过流保护电路，电路形式过于复杂、大多数都没有过流保护后自动加电的设计。有断电后自动加电功能的过流保护方法只用在开关电源上且没有抗干扰和上电时误断电设计。

发明内容

本发明解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种用于集成电路的过流保护电路，该电路具备了抗电源端干扰、防加电时误断电、断电后自动加电的功能。

本发明的技术方案是：一种用于集成电路的过流保护电路，包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R12、电阻R13、电容C1、电容C2、比较器U1A、二极管D15、MOSFET管Q2；电源输入端分别接至电阻R2的一端以及电阻R4的一端；电阻R2的另一端分别接至电阻R3的一端以及MOSFET管Q2的源级；电阻R3的另一端分别接至电容C1的一端以及比较器U1A的负输入端；电容C1的另一端接地；电阻R4的另一端分别接至电阻R5的一端以及比较器U1A的正输入端；电阻R5的另一端接地；比较器U1A的输出端经电阻R6后接至二极管D15的阳极，二极管D15的阴极分别接至电阻R12的一端、电阻R13的一端以及电容C2的一端；电阻R13的另一端以及电容C2的另一端均接地；电阻R12的另一端接至MOSFET管Q2的栅极；MOSFET管Q2的漏极作为整个电路的输出接至外部集成电路；

电源输入端电流经过电阻R2转化为电压量，电压量送至比较器U1A的负输入端；电压量与比较器U1A正输入端的比较电压通过比较器U1A进行比较，判别集成电路是否处于过流状态，一旦处于过流状态，比较器U1A输出控制电压到MOSFET管Q2的栅极切断MOSFET管Q2的导通，并将电阻R13和电容C2连接端的电压抬高，从而抑制电流的继续增大，当电流减小为0后，电压量恢复到电源输入电压，比较器U1A停止输出控制电压，此时电阻R13和电容C2公共端的电压仍能使得MOSFET管Q2处于关断状态，等到电容C2通过电阻R13将电荷泄放至电压小于MOSFET管Q2的导通阈值电压时，集成电路重新开始加电工作。

本发明与现有技术相比的优点在于：

(1)利用二极管的单向导通性和RC并联电路断电后延迟一段时间加电，无须额外的加电指令就可实现集成电路重新加电工作；

(2)利用从通过对电源电压进行分压来设计比较器的比较电压，可以防止电源受到干扰后自动断电；

(3)在比较器负输入端端引入一个电容，可以实现上电时防止误断电。

附图说明

图1为本发明公开的用于集成电路过流保护的电路。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参考附图1对本发明进一步详细说明：

(1)电路介绍：

如图1所示：电源输入端分别接至电阻R2的一端以及电阻R4的一端；电阻R2的另一端分别接至电阻R3的一端以及MOSFET管Q2的源级；电阻R3的另一端分别接至电容C1的一端以及比较器U1A的负输入端；电容C1的另一端接地；电阻R4的另一端分别接至电阻R5的一端以及比较器U1A的正输入端；电阻R5的另一端接地；比较器U1A的输出端经电阻R6后接至二极管D15的阳极，二极管D15的阴极分别接至电阻R12的一端、电阻R13的一端以及电容C2的一端；电阻R13的另一端以及电容C2的另一端均接地；电阻R12的另一端接至MOSFET管Q2的栅极；MOSFET管Q2的漏极作为整个电路的输出接至外部集成电路。本次设计采用的元件表见表1所示。该电路可实现500mA的过流保护，并可实现断电后延迟5.1ms再自动断电。

表1本次设计所采用的原件的型号

(2)原理设计