[发明专利]一种低电阻率ITO靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201510438693.7 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105130416A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张元松;叶有明;熊爱臣;赵明勇;谭翠;韦成果;樊繁;徐灿辉;叶仿建 | 申请（专利权）人： | 柳州华锡铟锡材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453 |
| 代理公司： | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韦微 |
| 地址： | 545036 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低电阻率ITO靶材的制备方法，通过浇注成型得到高强度生坯，烧结时控制氧浓度比例，制备出低电阻率的ITO靶材；本发明通过控制氧浓度，可使ITO靶材部分失氧，形成氧空位，这些氧空位就作为载流子，提高了靶材的导电性。只要适当控制氧浓度范围，在保证ITO靶材强度的同时，获得低电阻率的ITO靶材。本发明获得的坯体密度较高、均匀性好，不易变形和开裂。整个成型工艺简单可控，成本低，可实现大规模生产，得到的ITO靶材相对密度大于99.5％，电阻率低于0.110mΩ·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 ito 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于：通过浇注成型得到高强度生坯，烧结时控制氧浓度比例，制备出低电阻率的ITO靶材；其中包括以下步骤：（1）以化学共沉淀法制备的单相ITO粉作为原料；（2）将纯水、分散剂以及助烧剂与步骤（1）中的原料进行充分混合球磨，得到浆料；（3）将步骤（2）得到浆料加入一定量的粘结剂，充分搅拌后，进行浇注、脱模以及干燥，得到相对密度大于60%的高强度生坯；（4）把步骤（3）得到的高强度生坯在400～600℃保温4～6小时进行生坯的脱脂处理，然后在体积浓度为100%氧气氛下以5～7℃/min的速率升温至1550～1650℃，保温4～6小时，再将氧体积浓度降低至10～40%保温4～6小时，随炉冷却至室温出炉，得到低电阻率的ITO靶材。
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