[发明专利]形成不同深度沟槽的集成电路制造方法

摘要

一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，包括：在硅衬底的上面需要淀积硬掩模层；把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；刻蚀以使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；去除光刻胶，去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶；进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，把残留掺硅抗反射光刻胶去除；将衬底上的残留的硬掩模层去除。

主权项

1.一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底的上面需要淀积一层硬掩模层；第二步骤：在衬底和硬掩模层上进行第一次光刻，然后对硬掩模层进行刻蚀，把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；第三步骤：利用硬掩模层对衬底进行第一次沟槽刻蚀工艺，使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；第四步骤：在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，随后在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，并对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；第五步骤：针对第二次光刻打开的需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域进行掺硅抗反射光刻胶的刻蚀，由此去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；然后去除光刻胶，并且去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶，只保留不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶；第六步骤：进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，然后把不处于需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内填充的掺硅抗反射光刻胶去除；第七步骤：刻蚀去除硬掩模层，将衬底上的残留的硬掩模层去除；掺硅抗反射光刻胶的刻蚀速率与衬底的刻蚀速率相同。