[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201510435115.8 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN104979405B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 卜倩倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可避免或阻止绝大多数光线照射到有源层相对于源极与漏极之间的相对区域中,避免或降低TFT导通时Vth电压产生偏移,保证了TFT具有良好的电性能与信赖性。该薄膜晶体管包括:位于衬底基板上的栅极、由金属氧化物半导体构成的有源层、源极与漏极;位于有源层远离栅极一侧的遮光层,且遮光层在衬底基板上的投影至少覆盖有源层对应于源极与漏极之间的相对区域在衬底基板上的投影;遮光层包括交替排列的第一、第二材料层,且第一、第二材料层的层数之和为大于1的奇数;第一、第二材料层的折射率不同。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板、显示装置的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:位于衬底基板上的栅极、由金属氧化物半导体构成的有源层、以及相对设置的源极与漏极;其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:位于所述有源层远离所述栅极一侧的遮光层,且所述遮光层在所述衬底基板上的投影至少覆盖所述有源层对应于所述源极与所述漏极之间的相对区域在所述衬底基板上的投影;其中,所述遮光层包括:交替排列的第一材料层与第二材料层,且所述第一材料层与所述第二材料层的层数之和为大于1的奇数;所述第一材料层与所述第二材料层的折射率不同;所述第一材料层由硅材料构成;所述第二材料层由氧化硅材料构成;所述第二材料层与所述有源层相接触。
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