[发明专利]SOI叉指结构衬底Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201510433864.7 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105070763B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吕奇峰;韩伟华;洪文婷;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种SOI叉指结构衬底的III‑V族材料沟道薄膜晶体管，包括一SOI衬底，其顶层硅上的一侧包括一源区，另一侧为漏区，中间为叉指结构的硅亚微米线；一绝缘介质层制作在该源区和漏区的表面，该源区和漏区上的绝缘介质层上分别开有电极窗口；一III‑V族材料薄膜制作在叉指结构的硅亚微米线上；一栅介质层制作在该III‑V族材料薄膜的表面；一源电极制作在该源区电极窗口内，该源电极与SOI衬底的顶层硅接触；一漏电极制作在该漏区介质层窗口内，该漏电极与SOI衬底的顶层硅接触；以及一栅电极，该栅电极制作于栅介质层上。本发明可以实现平面薄膜晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | soi 结构 衬底 材料 沟道 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI叉指结构衬底的III‑V族材料沟道薄膜晶体管，包括：一SOI衬底，该SOI衬底的顶层硅上的一侧包括一源区，另一侧为漏区，中间为硅亚微米线，该硅亚微米线为叉指结构；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作在该源区和漏区的表面，该源区和漏区上的绝缘介质层上分别开有电极窗口，该绝缘介质层的材料为SiO2，厚度为5‑20nm；一III‑V族材料薄膜，其制作在叉指结构的硅亚微米线上；一栅介质层，该栅介质层制作在该III‑V族材料薄膜的表面；一源电极，该源电极制作在该源区电极窗口内，该源电极与SOI衬底的顶层硅接触；一漏电极，该漏电极制作在该漏区介质层窗口内，该漏电极与SOI衬底的顶层硅接触；以及一栅电极，该栅电极制作于栅介质层上。
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