[发明专利]在真空压力浸渍期间防止定子永磁体退磁的系统及方法有效
申请号: | 201510432791.X | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN105322739B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | T.拉米诺索亚;J.P.亚历山大;A.M.F.埃尔-雷菲 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H02K15/12 | 分类号: | H02K15/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;谭祐祥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种永磁体电机包括定子,其具有卷绕在其上的传导绕组和嵌入定子中的一个或更多个永磁体。磁性保持元件定位在定子上,以便以永磁体形成磁通量路径,其中磁性保持元件通过向由永磁体生成的磁通量提供低磁阻通量路径来闭合永磁体的磁通量路径。在定子上执行真空压力浸渍(VPI)过程,以提高绕组的导热性,其中VPI过程包括在选择的温度下执行的固化步骤。磁性保持元件将永磁体的操作点设置至高于与执行固化步骤所处的选择的温度相关联的退磁阈值的内部通量密度水平。 | ||
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【主权项】:
1.一种用于制造永磁体电机的方法,所述方法包括:提供定子,其包括卷绕在其上的传导绕组和嵌入所述定子中的一个或更多个永磁体;将磁性保持元件定位在所述定子上,以便以所述一个或更多个永磁体形成磁通量路径,其中所述磁性保持元件通过向由所述一个或更多个永磁体生成的磁通量提供低磁阻通量路径来闭合所述一个或更多个永磁体的磁通量路径;以及在所述定子上执行真空压力浸渍(VPI)过程,以提高所述传导绕组的导热性,所述真空压力浸渍过程包括在选择的温度下执行的固化步骤;其中所述磁性保持元件将所述一个或更多个永磁体的操作点设置至高于与执行所述固化步骤所处的选择的温度相关联的退磁阈值的内部通量密度水平。
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