[发明专利]一种卡托及其制备方法、移动终端

摘要

本发明涉及到通信设备的技术领域，公开了一种卡托及其制备方法、移动终端。该卡托包括卡托基体，设置在所述卡托基体上的第一绝缘层，覆盖在所述第一绝缘层的第二绝缘层，且所述第一绝缘层的硬度高于所述第二绝缘层。在上述技术方案中，通过在卡托基体上设置了两层绝缘涂层保护卡托基体，并且在设置时第一绝缘层的硬度高于第二绝缘层，在卡上的毛刺或尖锐部分在刺穿第二绝缘层时，可以通过第一绝缘层阻挡毛刺或尖锐部分，避免毛刺将卡托基体上的绝缘涂层划破。有效地提高了卡托的绝缘性能，进而提高了移动终端识别卡的效果，有效减少了由于卡托的绝缘涂层被划破，卡托导电，从而使得移动终端不能识别卡的情况。 1

主权项

1.一种卡托，其特征在于，包括卡托基体，设置在所述卡托基体上的第一绝缘层，覆盖在所述第一绝缘层的第二绝缘层，且所述第一绝缘层的硬度高于所述第二绝缘层；所述第一绝缘层为包含类金刚石材料的绝缘涂层，所述第一绝缘层包括：设置在所述卡托基体上的金属打底层；设置在所述金属打底层上的中间层；以及设置在所述中间层上的绝缘涂层，其中，所述中间层为金属及其化合物的混合层；所述绝缘涂层为金属及其化合物、类金刚石材料的混合层。

2.如权利要求1所述的卡托，其特征在于，所述绝缘涂层中金属及其化合物的含量越靠近所述中间层的位置含量越多；所述类金刚石材料含量越远离所述中间层的位置含量越多。

3.如权利要求1所述的卡托，其特征在于，所述金属及其化合物的混合层中的金属化合物可以为：金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物、金属硼化物、金属氮氧化合物、金属碳氮化合物或金属碳氧氮化合物。

4.如权利要求1所述的卡托，其特征在于，所述卡托基体的材质包括以下材质中的至少一种：

金属材料、金属合金材料、金属基复合材料以及无机非金属材料。

5.如权利要求1所述的卡托，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度介于0.3～7微米之间。

6.如权利要求5所述的卡托，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度介于3～100微米之间。

7.如权利要求1所述的卡托，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度介于0.3～3微米之间。

8.如权利要求7所述的卡托，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度介于10～25微米之间。

9.如权利要求1～8任一项所述的卡托，其特征在于，所述第二绝缘层为高分子类涂层。

10.如权利要求9所述的卡托，其特征在于，所述第二绝缘层的材质包括以下材质中的至少一种：

聚四氟乙烯涂层、油漆涂层以及油墨涂层。

11.一种卡托的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在卡托基体上形成第一绝缘层；

在形成的第一绝缘层上形成第二绝缘层，且形成的第一绝缘层的硬度高于第二绝缘层；其中，

所述在卡托基体上形成第一绝缘层具体包括：

在所述卡托基体上形成金属打底层；

在所述金属打底层上形成中间层；

在所述中间层上形成绝缘涂层；其中，所述中间层为金属及其化合物的混合层；所述绝缘涂层为金属及其化合物、类金刚石材料的混合层。

12.如权利要求11所述的卡托的制备方法，其特征在于，所述中间层中的金属的含量随着中间层厚度的增加逐渐降低，所述中间层中金属化合物的含量随着中间层厚度的增加含量逐渐增加。

13.如权利要求12所述的卡托的制备方法，其特征在于，所述绝缘涂层中的金属及其化合物的含量随着绝缘涂层的厚度的增加逐渐减低，所述绝缘涂层中的类金刚石膜的含量随着绝缘涂层的厚度的增加逐渐增加。

14.如权利要求11～13任一项所述的卡托的制备方法，其特征在于，还包括在卡托基体上形成第一绝缘层之前对卡托基体进行真空状态下的离子清洗。

15.如权利要求14所述的卡托的制备方法，其特征在于，还包括在形成的第一绝缘层上形成第二绝缘层后，对第二绝缘层进行高温烘烤。

16.如权利要求14所述的卡托的制备方法，其特征在于，所述形成的第一绝缘层的厚度介于0.3～7微米之间，形成的第二绝缘层的厚度介于3～100微米之间。

17.一种移动终端，其特征在于，包括移动终端本体，设置在所述移动终端本体内的卡托，卡装在所述卡托内的卡，其中，所述卡托为如权利要求1～10任一项所述的卡托。