[发明专利]太阳能电池叠堆有效
| 申请号： | 201510425205.9 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105304739B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | W·古特 | 申请（专利权）人： | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/043 | 分类号： | H01L31/043;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池叠堆，其具有第一半导体太阳能电池，其中第一半导体太阳能电池具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数；第二半导体太阳能电池，其中第二半导体太阳能电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中第一晶格常数小于第二晶格常数，所述太阳能电池叠堆具有变质缓冲器，其中变质缓冲器包括下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层的序列，并且变质缓冲器构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且在变质缓冲器中晶格常数沿着变质缓冲器的厚度延伸变化，其中晶格常数和In含量在变质缓冲器的至少两个层之间增大，而Al含量降低。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池叠堆(10)，其具有：第一半导体太阳能电池(GA)，其中，所述第一半导体太阳能电池(GA)具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数；第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)，其中，所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数；所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数；变质缓冲器(40)，其中，所述变质缓冲器(40)包括下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层的序列，并且所述变质缓冲器(40)构造在所述第一半导体太阳能电池(GA)和所述第二半导体太阳能电池(IGA，IGA1)之间，并且在所述变质缓冲器(40)中所述晶格常数(a)沿着所述变质缓冲器(40)的厚度延伸变化，其特征在于，在所述变质缓冲器(40)的至少两个层(MP1，MP2，MP3，MP4，MP5，MP6)之间，所述晶格常数(a)和In含量升高，而Al含量降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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