[发明专利]存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510415026.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106356450B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴伯伦;何家骅;沈鼎瀛;林孟弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件及其制造方法。存储元件包括衬底、电容器、保护元件、第一金属内连线以及第二金属内连线。电容器位于第一区的衬底上。保护元件位于第二区的衬底中。电容器包括多个下电极、上电极以及电容介电层。上电极具有第一部分以及第二部分，其中第二部分延伸至第二区。电容介电层位于下电极与上电极之间。第一金属内连线位于电容器与衬底之间。第二金属内连线位于上电极的第二部分与保护元件之间，其将上电极电性连接至保护元件。本发明可减少等离子体损害的产生，以提升产品的可靠度与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，其特征在于，包括：衬底，具有第一区与第二区；电容器，位于所述第一区的所述衬底上，其中所述电容器包括：多个下电极；上电极，具有第一部分以及第二部分，所述第一部分覆盖所述下电极，而所述第二部分延伸至所述第二区的所述衬底上；以及电容介电层，位于所述下电极与所述上电极的所述第一部分之间；保护元件，位于所述第二区的所述衬底中；第一金属内连线，位于所述电容器与所述衬底之间，其将所述下电极电性连接至所述衬底；以及第二金属内连线，位于所述上电极的所述第二部分与所述保护元件之间，其将所述上电极的所述第二部分电性连接至所述保护元件。
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