[发明专利]包含自组装嵌段共聚物的膜和通过旋涂法(IIa)制备该膜的方法有效
申请号: | 201510409904.4 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN105273221B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 卡莱德·阿卜戴尔-哈吉姆·阿穆尔;S·石 | 申请(专利权)人: | 帕尔公司 |
主分类号: | C08J9/28 | 分类号: | C08J9/28;C08J7/04;C09D153/00;C03C17/32;C04B41/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪宇伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: |
公开了由自组装嵌段共聚物形成的膜,例如式(I)的二嵌段共聚物: |
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搜索关键词: | 包含 组装 共聚物 通过 旋涂法 iia 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备包含式(I)或(II)的嵌段共聚物的多孔膜的方法:
其中:R1是C1‑C22烷基,可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代,或者C3‑C11环烷基,可选地被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R2是C6‑C20芳基或杂芳基,可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R3和R4之一是C6‑C14芳基,可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一个是C1‑C22烷氧基,可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代;以及n和m独立地是10至2000;0
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