[发明专利]包含自组装嵌段共聚物的膜和通过旋涂法(IIa)制备该膜的方法有效

专利信息
申请号: 201510409904.4 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN105273221B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 卡莱德·阿卜戴尔-哈吉姆·阿穆尔;S·石 申请(专利权)人: 帕尔公司
主分类号: C08J9/28 分类号: C08J9/28;C08J7/04;C09D153/00;C03C17/32;C04B41/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 汪宇伟
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了由自组装嵌段共聚物形成的膜,例如式(I)的二嵌段共聚物:其中,R1‑R4、n和m如本发明所述,其用于制备纳米多孔膜。膜的实施方式含有自组装成圆柱形形态的嵌段共聚物。还公开了制备这类膜的方法,涉及旋涂含有嵌段共聚物的聚合物溶液,获得薄膜,随后在溶剂蒸气中退火薄膜和/或浸泡在溶剂或溶剂混合物中,形成纳米多孔膜。
搜索关键词: 包含 组装 共聚物 通过 旋涂法 iia 制备 方法
【主权项】:
1.一种制备包含式(I)或(II)的嵌段共聚物的多孔膜的方法:其中:R1是C1‑C22烷基,可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代,或者C3‑C11环烷基,可选地被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R2是C6‑C20芳基或杂芳基,可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R3和R4之一是C6‑C14芳基,可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一个是C1‑C22烷氧基,可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代;以及n和m独立地是10至2000;0
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