[发明专利]制造相变化记忆体的方法有效
| 申请号： | 201510402332.7 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105098071B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造相变化记忆体的方法，包含(i)形成一基材，此基材包含一加热元件；(ii)形成一第一介电层覆盖加热元件；(iii)形成一第一开口贯穿第一介电层，以露出加热元件，其中第一开口具有一底面及一侧面；(iv)形成一阻障层于第一介电层上，并衬裹第一开口，其中阻障层包含一底部及一侧壁分别覆盖第一开口的底面及侧面；以及(v)形成一相变化元件以及一电极，其中相变化元件位于阻障层的底部上，且电极位于相变化元件上，使阻障层与电极包覆相变化元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 记忆体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成一加热元件于一半导体基材上；形成一第一介电层于该半导体基材及该加热元件上方，其中该第一介电层具有一第一开口露出该加热元件；形成一导电性阻障层于该第一介电层上，并衬裹该第一开口，且覆蓋该加热元件的頂表面；形成一相变化材料层于该导电性阻障层上，且填充该第一开口；移除一部分的该相变化材料层以及一部分的该导电性阻障层，以露出该第一介电层，并形成位于该第一开口中的一相变化元件；形成一第二介电层于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第二开口露出该相变化元件；形成一电极材料层于该第二介电层上，并填充该第二开口；以及移除位于该第二介电层上方的该电极材料层的部分，而形成嵌设于第二开口的一电极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司，未经江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510402332.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
