[发明专利]一种锡掺杂Sb2S3薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510401342.9 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105023757B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙盼盼;姚方;孙小华;黄妞 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锡掺杂Sb2S3薄膜材料及其制备方法在乙醇中逐次加入一定量的三氯化锑(SbCl3)、四氯化锡(SnCl4·4H2O)、硫脲和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，均匀持续搅拌一段时间后静置。将沉淀物转移至一定量的水溶液中，搅拌均匀并将其倒入放有FTO基底的水热反应釜中进行水热反应。反应结束后将FTO基底取出洗涤、干燥，放入气氛炉中退火处理得到锡掺杂Sb2S3薄膜。本发明制备的锡掺杂Sb2S3薄膜材料具有较好的染料敏化太阳能电池对电极性能，且具有合成工艺简单，原材料价格低廉、无污染，制备得到的锡掺杂Sb2S3薄膜均一性、稳定性和透光性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sb2s3 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锡掺杂Sb2S3薄膜材料的制备方法，其特征在于：配置SbCl3浓度为33mM、SnCl4·4H2O的浓度为2mM、硫脲浓度为0.2M的乙醇溶液，然后加入0.4gPVP，均匀持续搅拌一段时间后静置，将沉淀物转移至60mL的水溶液中，搅拌并将其倒入放有FTO基底的水热反应釜中，导电面朝下，在120~180oC保温反应24小时，反应结束后将FTO基底取出洗涤、干燥，将其放入N2气氛炉中在升温速率2~8oC/min、450oC下烧结1~3小时，自然冷却后得到透光率为40‑50%锡掺杂Sb2S3薄膜。
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