[发明专利]一种采用紫外激光拉曼光谱检测GaN材料的方法有效
| 申请号： | 201510394269.7 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106323936B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 顾泓;张敏;刘磊;郑树楠;田飞飞;张志强;周桃飞;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用紫外激光拉曼光谱检测GaN材料的方法，其包括：提供一GaN材料样品，并在所述GaN材料样品的待测试表面上制备一金属薄膜层；提供一拉曼光谱检测设备，从所述待测试表面上对所述GaN材料样品进行拉曼光谱测试；其中，所述拉曼光谱检测设备发射的激发光为紫外光。通过在GaN材料样品的待测试表面上制备一金属薄膜层，其可以改变GaN材料样品的表面态，对样品表面的能带弯曲进行调节，从而减小紫外激光照射产生的表面光电压，降低光电压对测试过程的干扰，提高测试结果的正确性以及测试精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 材料样品 拉曼光谱检测 测试表面 金属薄膜层 紫外激光 制备 拉曼光谱测试 紫外激光照射 表面光电压 紫外光 测试过程 设备发射 样品表面 表面态 光电压 激发光 减小 测试 | ||
【主权项】：
1.一种采用紫外激光拉曼光谱检测GaN材料的方法，其特征在于，包括：提供一GaN材料样品，并在所述GaN材料样品的待测试表面上制备一金属薄膜层；其中，所述金属薄膜层的厚度为5～20nm，所述金属薄膜层的材料选自功函数为3.5～5eV的金属材料；提供一拉曼光谱检测设备，从所述待测试表面上对所述GaN材料样品进行拉曼光谱测试；其中，所述拉曼光谱检测设备发射的激发光为紫外光。
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