[发明专利]一种宽频带高吸收太赫兹波的微桥结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510392320.0 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105129717B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王军;陈沛丞;谢盼云;唐荣;黎威志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B7/02;B81C1/00;G01J1/42 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域，提供一种宽频带高吸收太赫兹波的微桥结构及其制备方法，用于克服太赫兹探测器宽频段下响应率低的问题。该微桥结构包括位于顶层的金属吸收膜、位于中间层的超材料图形、位于底层的MEMS微桥，且两两之间设置氮化硅介质层间隔；所述金属吸收膜为阻抗匹配的纳米级金属吸收薄膜，所述超材料图形与MEMS微桥共同构成超材料吸收结构。本发明中阻抗匹配的纳米级金属吸收薄膜能够实现太赫兹波的宽频带吸收，超材料图形和MEMS微桥结构共同构成超材料吸收结构能够保障对太赫兹波的高吸收；实现对太赫兹波的宽光谱响应、高吸收的性能，整体上提高了微桥结构探测单元对太赫兹波的响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽频 吸收 赫兹 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种宽频带高吸收太赫兹波的微桥结构，包括位于顶层的金属吸收膜、位于中间层的超材料图形、位于底层的MEMS微桥，且两两之间设置氮化硅介质层间隔；所述金属吸收膜为阻抗匹配的纳米级金属吸收薄膜，用于太赫兹波宽频带吸收；所述MEMS微桥包括底部金属反射层和通过桥腿支撑于底部金属反射层上的桥面，桥面与底部金属反射层之间形成微桥空腔；所述超材料图形与MEMS微桥共同构成超材料吸收结构，所述微桥空腔和桥面共同构成超材料吸收结构的中间介质层，所述底部金属反射层构成超材料吸收结构反射层，即与超材料图形共同构成从下往上依次为反射层、中间介质层和图形层的超材料吸收结构。
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