[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器有效
| 申请号： | 201510379387.0 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105024661B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;王小虎 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F3/26 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器包括三个悬臂梁栅NMOS管，一个悬臂梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个悬臂梁栅NMOS区别仅在于它们的悬臂梁栅的形状不同，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅为宽梁，第二悬臂梁栅NMOS管(15)，第三悬臂梁栅NMOS管(16)的悬臂梁栅为窄梁。该功率放大器的悬臂梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁结构。该交叉耦合的悬臂梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基低 漏电 悬臂梁 mos 乙类 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，其特征是该放大器由第一悬臂梁栅NMOS管(1)、第二悬臂梁栅NMOS管(15)、第三悬臂梁栅NMOS管(16)、悬臂梁栅PMOS管(2)、恒流源(14)和LC回路构成，该功率放大器中的第一悬臂梁栅NMOS管(1)、第二悬臂梁栅NMOS管(15)、第三悬臂梁栅NMOS管(16)、悬臂梁栅PMOS管(2)制作在P型Si衬底(3)上，其输入引线(4)都是利用多晶硅制作，悬臂梁栅MOS管的栅极是依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方的，形成悬臂梁栅(6)，悬臂梁栅(6)由铝制作,悬臂梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源‑V2相连，第二悬臂梁栅PMOS管(2)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源+V2相连，第二悬臂梁栅NMOS管(15)和第三悬臂梁栅NMOS管(16)的下拉电极板(8)接地，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的漏极(11)通过高频扼流圈接+V1，悬臂梁栅PMOS管(2)的漏极(18)通过高频扼流圈接‑V1，第一悬臂梁栅NMOS管(1)和悬臂梁栅PMOS管(2)的悬臂梁栅(6)通过引线(4)连在一起作为该乙类推挽式功率放大器的输入端vi，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的源极与悬臂梁栅PMOS管(2)的源极连在一起作为输出端vo，输出端通过一个隔直流电容与LC回路，交叉耦合的第二悬臂梁栅MOS管(15)和第三悬臂梁栅MOS管(16)相连，LC回路一端与第三悬臂梁栅NMOS管(16)的漏极(11)相连，第三悬臂梁栅NMOS管(16)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)与第二悬臂梁栅NMOS管(15)的悬臂梁栅(6)连在一起并通过高频扼流圈与+V3相连，LC回路的另一端与第二悬臂梁栅NMOS管(15)的漏极(11)相连，第二悬臂梁栅NMOS管(15)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)和第三悬臂梁栅NMOS管(16)的悬臂梁栅(6)连载一起并通过高频扼流圈与+V3相连，第二悬臂梁栅NMOS管(15)的源极(12)和第三悬臂梁栅NMOS管(16)的源极(12)连在一起并与恒流源相连，恒流源的另一端接地，第二悬臂梁栅MOS管(15)和第三悬臂梁栅MOS管(16)与悬臂梁栅NMOS管(1)这三个悬臂梁栅NMOS管区别仅在于它们的悬臂梁栅(6)的形状不同，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅(6)为宽梁，第二悬臂梁栅MOS管(15)和第三悬臂梁栅MOS管(16)的悬臂梁栅(6)为窄梁。
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- 本发明公开了列读出放大器和使用该方法的成像阵列。列读出放大器包括具有放大器信号输出的信号放大器、第一滤波电容器、具有缓冲放大器输入和缓冲放大器输出的缓冲放大器、和开关网络。在第一时间阶段，开关网络将放大器信号输出连接到缓冲放大器输入，并将缓冲放大器输出连接到第一滤波电容器，并且在第二时间阶段，开关网络将放大器信号输出直接连接到第一滤波电容器。时间阶段可以是固定的持续时间或通过缓冲放大器的输入与输出之间的电位差而确定。列读出放大器能够用在成像阵列中，来读出像素列。
- 一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路-201710068407.1
- 朱佳浩;李贺;沈美根;陈强 - 江苏博普电子科技有限责任公司
- 2017-02-08 - 2017-04-26 - H03F3/213
- 本发明公开了一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，包括集成在封装管壳内的前级放大电路、后级放大电路和供电电路；前级放大电路包括GaN驱动功率放大器；后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路；GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源。在有限的管壳内部加入了两级放大电路，使得输出增益大大提高，针对C波段设计的内部偏置电路的加入有效节省了管壳外围PCB电路的铺设空间。另外，内部分压电路使得前后两级放大电路可以共用同一个栅极电压和同一个漏极电压，节省PCB空间。
- 一种并发结构功率放大器及其设计方法-201610334704.1
- 何松柏;代志江;亓天;李啟荣 - 电子科技大学
- 2016-05-19 - 2016-10-12 - H03F3/213
- 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种应用于无线通信系统中的并发结构功率放大器及其设计方法。该并发结构功率放大器，包含有N个并联的通路，2≤N，每个通路分别包含依次连接的输入滤波器模块，单管放大器模块和输出滤波器模块。输入滤波器模块实现清除功率放大器工作频率外的信号。输出滤波器模块实现各路之间信号的输出隔离和消除串扰。应用本发明，能够设计出并发结构的非单带功率放大器，并实现简洁的匹配网络设计，可媲美窄带的实现效果，充足的非单带并发输出功率，对谐波的灵活控制。
- 一种分布式功率放大器-201610274873.0
- 张瑛 - 南京邮电大学
- 2016-04-28 - 2016-09-28 - H03F3/213
- 一种分布式功率放大器，在输入端和输出端之间包括多组并联的增益单元，每组增益单元由两个子增益单元构成，相邻的增益单元之间通过电感进行连接，每组增益单元的两个子增益单元的输入阻抗和分别与两个子增益单元的输入端相连的电感共同构成两条输入人工传输线，每组增益单元的两个子增益单元的输出阻抗和与其输出端相连的电感共同构成一条输出人工传输线，在输入和输出人工传输线的两端分别再接一个电感。本发明将两个子增益单元的输出传输线进行合并，有效克服了增益单元的等效输入电容对分布式功率放大器带宽的限制。
- 车载导航设备的音频功放电路-201510682635.9
- 易春华 - 重庆金宏汽车电子有限公司
- 2015-10-21 - 2016-01-20 - H03F3/213
- 本发明公开了一种车载导航设备的音频功放电路，包括功率放大处理芯片U29、若干电容、若干电阻、若干二极管以及三极管Q1；导航仪的音频功放电路，其功率放大芯片U29的四路输入引脚接音频处理电路的音频处理芯片的相关引脚，用于接收音频处理电路的音频信号，并将接收到的音频信号进行放大处理，经过放大后，通过四路正负端口与扬声器相接。本电路的结构简单、制作成本较低，仅通过一放大芯片以及电容、电阻和三极管即可实现其功能，它的稳定性较好。
- 功率放大器-201110084367.2
- 约翰·克里斯多佛·克利夫顿 - 索尼欧洲有限公司
- 2011-03-31 - 2011-10-05 - H03F3/213
- 本发明公开了一种功率放大器，其包括功率放大器装置的串联堆，功率放大器装置并联连接到用于接收RF输入信号的放大器输入端，并且功率放大器的输出端子串联连接到放大器输出端。中间耦合电容器在功率放大器装置的串联堆中连接在每个相邻功率放大器装置对之间，以用于所述功率放大器装置的DC隔离。这降低了所需的DC电源电压，并且允许响应于DC电源电压中的变化，将单独的功率放大器装置短路。
- 用于改善低频效率和噪声系数的改进的分布式放大器-200980120639.0
- K·贝松 - 赫梯特微波公司
- 2009-04-14 - 2011-05-04 - H03F3/213
- 一种分布式放大器系统，具有预定的输出阻抗和输入阻抗且包括输入传输电路；输出传输电路；至少两个连接在输入和输出传输电路之间的放大器；在输入传输电路上的输入末端；和反馈连接到输入传输电路的输出传输电路上的反馈输出末端，用于在保持预定的输出阻抗和输入阻抗的同时降低低频率损失。
- 专利分类
